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Silicon Carbide (SiC)

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Overview

  • sic 소개
  • Silicon Carbide (SiC)

    SiC 소재는 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비하여 열 전도율과 경도가 높고
    내플라즈마성, 내산화성, 내마모 성, 내부식성, 고온 안정성 및 열충격 저항성이 우수한 소재입니다.

    반도체공정중 particle 발생이 없어 반도체 제조 공정용 소재로써 활용할 수 있는 우수한 특성을 갖고 있습니다.

    최근 반도체 공정의 고집적도를 위한 선폭 미세화 진행 에 따라 고출력의 플라즈마가 필요하게 되었으며,
    이에 따 라 건식에칭(dry etching) 공정의 관련 부품 또한 내플라 즈마 특성이 우수한 부품이 필요하고
    lifetime의 증가도 요구되고 있습니다.

    기존 반도체 공정에서 많이 사용되었던 실리콘, 석영 및 알루미나를 대체하는 소재로서 SiC(Silicon carbide) 재질의
    부품 비중이 급격히 증가하는 추세 입니다.

Feature

  • Material Characteristics
    Item Unit Al 2O3
    Bulk Density g/cm2 3.1
    Flexural Strength MPa 450
    Poisson's Ratio 0.16
    Vickers Hardness Gpa 23
    Thermal Expansion
    Coefficient (RT~800℃)
    ×10-6/℃ 4.5
    Thermal Conductivity
    (RT)
    W/m∙K 150
    Specific Heat J/g∙K 0.66
    Volume Resistivity(20℃) Ω∙㎝ 10^6 ~ 10^8
  • 화학적 성질
    탄화규소는 화학적으로 매우 안정한 화합물로 HCI, HF, H2, H2SO4, NaOH등의 용액에 침식되지
    않습니다.
    전기적, 기계적 성질
    순수한 탄화규소 단결정은 상온에서 절연체지만, 불순물의 종류나 양에 따라 성질이 크게
    달라집니다.

Product

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