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Sapphire

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  • Sapphire 소개

    Al2O3(알루미나)를 성장로에서 2000도 이상의 열로 액체상태를 만든 후 단결정으로 성장된 결정체를 말합니다.
    Mohs경도는 9로 다이아몬드 다음으로 단단하며, 비중은 3.98로서 비금속광물로서는 예외적으로 무겁습니다.
    가시광선영역에서는 투과율이 80%이상으로 매우 투명하며, 굴절율이 매우 높은 물질입니다.

    사파이어는 불순물의 종류 및 함유량에 따라 색을 띄며, 단결정의 희귀성과 더불어 루비, 블루사파이어 등의
    보석으로 활용 되었습니다. 루비 레이져의 개발과 더불어 공업적 활용도에 주목을 받기 시작하였고,
    단단하고 투명한 특성 때문에 군용장비에 응용되면서 대형화를 시도하였습니다.
    최근 LED의 수요가 급증하면서 기판 재료로 재조명받아 많은 업체에서 고품질의 사파이어 단결정을 생산하고 있습니다.

    ㈜코마테크놀로지는 사파이어의 내화학성, 내열성, 고경도 등의 특성에 주목하여 반도체 공정 중
    식각 및 파티클이 이슈가 되는 제품의 소재를 변경하여 고객사의 생산 효율성 향상에 그 활용도를 높이고 있습니다.

Feature

왜 사파이어인가
1
사파이어는 다이아몬드 다음으로 높은 경도와 2,040°C에서 견디는 내열성 및 NF3 및 CF4를 이용하는 환경에서 파티클 발생을 최소화 하는 내화학성을
보유한 현존 최고의 소재입니다.
2
초 고순도의 단결정 사파이어는 반도체 ETCH 공정 플라즈마에서 라디칼반응 (radical reaction)이 일어나지 않는 안정화된 분자 구조로 Chamber내
오염을 최소화 할 수 있습니다.
3
사파이어는 높은 내구성으로 인하여 고에너지의 이온충격에도 강한 내구성으로 내 식각성을 가지고 있는 소재입니다.
4
안정성이 확보된 분자 구조와 초 고순도의 단결정 구조로 탁월한 내식각성으로 인해 부품의 재사용 가능 기간을 5배 이상 늘려 줍니다.
5
사파이어는 매우 안정적인 절연체로 공정중 플라즈마에서 발생되는 아킹(Arcing)을 최소화하여 공정불량을 최소화 하는 소재입니다.
Parameters
Crystal Structure Hexagonal, a=4.765Å c=13.001Å
Crystal Purity >99.99%
Density 3.98g/cm3  Solid
Hardness 9(moh’s scale)
Knoop Hardness 1600 to 2200
Young’s Modulus 380 GPa 30’ from c-axis /
340 GPa 60’ from c-axis
Tensile Strength 300 to 400 MPa, orientation
and polish dependent
Modulus of Rupture 500 to 900 MPa, orientation
and polish dependent
Compressive Strength 2000MPa
Thermal Properties
Melting point 2053℃
Specific Heat 0.10 cal/g at 20℃
Heat Capacity 0.77 J/g℃ at 20℃ / 1.25 J/g℃ at 20℃
Thermal Conductivity 46.06 at 0℃, 25.12 at 100℃,
12.56 at 400℃(W/(m.K))
5.3 X 10-6/K parallel to c-axis
Coefficient (25℃) 4.5 X 10-6/K perpendicular to c-axis
Dielectric Constant ~9.4 at 300K at a-axis
~11.58 at 3000K at c-axis
Loss Tangent at 10 GHz < 2X 10-5 at a-axis,
< 5X 10-5 at c-axis

Products

㈜코마테크놀로지는사파이어를 통한 다양한 제품을 생산하고 있습니다

Sapphire 제품 이미지
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